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      我国半导体抗光腐蚀研究取得新进展

      发布时间:2020-9-28     来源:科技日报

      日前,内蒙古大学王蕾研究员带领的科研团队在半导体抗光腐蚀研究方面取得新进展,得到国家自然科学基金等多个项目的认可支持英亚体育APP-英亚体育登陆?英亚体育APP-英亚体育登陆!岸刍阒iVO4抗光腐蚀研究”的相关成果已于近日在国际化学领域顶级期刊《德国应用化学》发表。

      王蕾研究员介绍,新型洁净能源氢能素来是新能源的研究热点英亚体育APP-英亚体育登陆,而光解水制氢是获得氢能的主要技术之一,而太阳能制氢转换效率是光解水主要性能指标,半导体较低的光吸收和较高的载流子复合率是影响转换效率的首要因素英亚体育APP-英亚体育登陆。因此,如何高效地提高光电转换效率是当前光电催化研究领域的重中之重。

      BiVO4半导体因其具有2.4 eV的合适带隙宽度英亚体育APP-英亚体育登陆,良好的光吸收性能以及适合的低电位下进行水氧化的导带位置,成为太阳能光电催化(PEC)制氢领域的重要材料之一。然而,BiVO4材料的表面和体相复合,严重影响了光生电荷传输,使其受限PEC性能低于理论值英亚体育APP-英亚体育登陆;同时,也影响了光腐蚀英亚体育APP-英亚体育登陆,使其无法适用长期光解水反应。通常采用表面助催化剂修饰,提高半导体电荷分离效率英亚体育APP-英亚体育登陆,抑制电荷二次复合,加速表面反应动力学。

      科研团队通过改善材料制备工艺以及恒电位光极化测试方法,有效提高了BiVO4活性及稳定性。无助催化剂修饰下的BiVO4在1.23 VRHE电压下获得4.60 mA cm-²的光电流。

      科研团队发现半导体在间歇性测试下可以达到100小时的稳定性,表现出超强的“自愈”特性英亚体育APP-英亚体育登陆。在电化学测试中得出,半导体表界面产生的钝化层和氧空位协助作用有效减小了半导体电子与空穴复合,提高表面水氧化动力学英亚体育APP-英亚体育登陆,进一步抑制光腐蚀。


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